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高真空磁控溅射设备JCP-350M3

浏览: 时间:2020-02-13

一、设备概述

1.适用:大专院校、科研院所及企业进行薄膜新材料的科研与小批量制备。主要用于制备微、纳米尺度单层及多层导电膜、半导体膜、绝缘膜以及镍、钴磁性材料等薄膜材料。

2、产品特点/用途:

► 设备可溅射/蒸发两用;占地面积小,价格便宜,性能稳定,使用维护成本低;

► 可用于制备单层及多层金属膜、介质膜、半导体膜、磁性膜、传感器膜及耐热合金膜、硬质膜、耐腐蚀膜等;

► 镀膜示例:银、铝、铜、镍、铬、镍铬合金、氧化钛、ITO、二氧化硅等;

► 单靶溅射、多靶依次溅射、共同溅射等功能。

2.主要功能:可制备亚微米、纳米尺度的单层、双层或多层金属膜、非金属薄膜。

二、技术参数

型号JCP350
真空腔室结构立式上开盖结构,后置抽气系统,气动提开式
真空腔室尺寸Φ350×H350mm
加热温度室温~500℃
溅射方式向上溅射
旋转基片台Φ120mm
膜厚不均匀性Φ75mm范围内≤±5.0%
溅射靶/蒸发电极Φ2英寸磁控靶2支,兼容DC/RF溅射
工艺气体2-3路气体流量控制
控制方式PLC+触摸屏人机界面半自动控制系统
占地面积(主机)L1600×W800×H1920mm
总功率≥8KW