一、设备概述
1.适用:大专院校、科研院所及企业进行薄膜新材料的科研与小批量制备。主要用于制备微、纳米尺度单层及多层导电膜、半导体膜、绝缘膜以及镍、钴磁性材料等薄膜材料。
2、产品特点/用途:
► 设备可溅射/蒸发两用;占地面积小,价格便宜,性能稳定,使用维护成本低;
► 可用于制备单层及多层金属膜、介质膜、半导体膜、磁性膜、传感器膜及耐热合金膜、硬质膜、耐腐蚀膜等;
► 镀膜示例:银、铝、铜、镍、铬、镍铬合金、氧化钛、ITO、二氧化硅等;
► 单靶溅射、多靶依次溅射、共同溅射等功能。
2.主要功能:可制备亚微米、纳米尺度的单层、双层或多层金属膜、非金属薄膜。
二、技术参数
型号 | JCP350 |
真空腔室结构 | 立式上开盖结构,后置抽气系统,气动提开式 |
真空腔室尺寸 | Φ350×H350mm |
加热温度 | 室温~500℃ |
溅射方式 | 向上溅射 |
旋转基片台 | Φ120mm |
膜厚不均匀性 | Φ75mm范围内≤±5.0% |
溅射靶/蒸发电极 | Φ2英寸磁控靶2支,兼容DC/RF溅射 |
工艺气体 | 2-3路气体流量控制 |
控制方式 | PLC+触摸屏人机界面半自动控制系统 |
占地面积 | (主机)L1600×W800×H1920mm |
总功率 | ≥8KW |